Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,4кВ; 162А; 580Вт; TO247-4

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IMYR140R011M2HXLSA1
1376,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 240
Крок додавання: 240
Код товару: IMYR140R011M2HXLSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 152нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -7...23В
Напруга сток-джерело: 1,4кВ
Опір в стані провідності: 11,5мОм
Потужність розсіювання: 580Вт
Струм стока: 162А
Технологія: CoolSiC™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
OMNIMATE; вертикальне; на PCB; PCB; Контакти: сплав міді; чорний
OMNIMATE; вертикальне; на PCB; PCB; Контакти: сплав міді; чорний

50,68 грн

Alias:
FC/FFP ZE/50 B BX
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 50А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 50А; Полюси: 1

5097,57 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
25кА
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Резистор: thin film; 6,8Ом; THT; 1Вт; ±1%; 500В; Ø4,2x11,9мм
Резистор: thin film; 6,8Ом; THT; 1Вт; ±1%; 500В; Ø4,2x11,9мм

5,20 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
Ø4,2x11,9мм
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 77,8÷86В; 13,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 77,8÷86В; 13,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC

9,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
70В
Підставка: інтегровані схеми; DIP24; Растр: 2,54мм; прецизійна
Підставка: інтегровані схеми; DIP24; Растр: 2,54мм; прецизійна

33,58 грн

Вид підставки:
з двосторонніми виводами
Використання:
DIP24
Електричний монтаж:
THT
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V

392,17 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
LED; 5мм; синій; 6000мкд; 15°; Голівка: опукла; 2,8÷3,6ВDC
LED; 5мм; синій; 6000мкд; 15°; Голівка: опукла; 2,8÷3,6ВDC

13,94 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина хвилі λd:
464...474нм
Кількість виводів:
2
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

488,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

871,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP