Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 42А; 136Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 42А; 136Вт
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: SCT4036DEC11
Price: 631.02 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: SCT4036DEC11

631,02 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 7

Код товару:

SCT4036DEC11

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

72нКл

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

-4...21В

Напруга сток-джерело:

750В

Опір в стані провідності:

47мОм

Потужність розсіювання:

136Вт

Струм стока:

42А

Технологія:

SiC

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А

1657,38 грн

Вид транзистора:
каскодний

Заряд затвора:
51нКл

Корпус:
TO247-3

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247

560,70 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
42нКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс

394,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet

Заряд затвора:
185нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™

752,66 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
224нКл

Корпус:
ISOPLUS247™

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet

Заряд затвора:
50нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™

598,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
85нКл

Корпус:
ISOPLUS247™

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™

1096,05 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
170нКл

Корпус:
PLUS247™