Транзистор: N-MOSFET; SiC; N; 1,2кВ; 40А; 250Вт; TO247-4; 28,6нс

Немає в наявності
Код товару: IXSH40N120L2KHV
224,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 450
Крок додавання: 450
Код товару: IXSH40N120L2KHV
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 53нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: N
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 40А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 28,6нс
Недоступний
Електроізоляційна трубка; чорний; скловолокно; -60÷250°C; 14мм
Електроізоляційна трубка; чорний; скловолокно; -60÷250°C; 14мм

104,54 грн

Відповідність стандарту:
EN60684
Діаметр внутрішній:
14мм
Електрична міцність:
4кВ/мм
Колір:
чорний
Недоступний
Резистор: thin film; 88,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 88,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Дистнацююча втулка; діоди LED,LED; Øзовн: 3,9мм; ØLED: 3мм; ПВХ
Дистнацююча втулка; діоди LED,LED; Øзовн: 3,9мм; ØLED: 3мм; ПВХ

4,37 грн

Type of optoelectronics accessories:
дистнацююча втулка
Вид коробки:
T1
Використання:
LED; діоди LED
Діаметр діода ДУВ:
3мм
Недоступний
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; гніздовий; промислова; M12 ALTW; метал
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; гніздовий; промислова; M12 ALTW; метал

496,07 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
0,5м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; SMT; 1.5A

259,12 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
3мм
Недоступний
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 8; гніздовий; промислова; 50В; кутовий
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 8; гніздовий; промислова; 50В; кутовий

3296,38 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
M12 Cat6A receptacle angl. female back
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Недоступний
Резистор: thick film; 255Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; HP; 300В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 255Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; HP; 300В; -55÷155°C

4,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт

485,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD