Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 84А; Idm: 350А; 577Вт

Немає в наявності
Код товару: MSC012SMB120SDT/RM
1258,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 100
Крок додавання: 100
Код товару: MSC012SMB120SDT/RM
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 194нКл
Корпус: TO263-7XL
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 22мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 577Вт
Сімейство: SMB
Струм стока: 84А
Струм стоку в імпульсі: 350А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 30; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 30; SMT; straight

124,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,6мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 0,5÷3,8В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 0,5÷3,8В

126,71 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; регульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
0,5...3,8В
Вихідний струм:
2А
Недоступний
Резистор: thick film; 7,5МОм; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 150ppm/°C
Резистор: thick film; 7,5МОм; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 150ppm/°C

0,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Діод: TVS; 600Вт; 492÷543В; 0,9А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 492÷543В; 0,9А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; SMBJ

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
440В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 200пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 200пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

3,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,2нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206

5,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
270пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

1,81 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
33пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD