Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 35А; 165Вт; PSMT-16L

Немає в наявності
Код товару: MSC090SMA070SCT/R
200,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1300
Крок додавання: 1300
Код товару: MSC090SMA070SCT/R
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Корпус: PSMT-16L
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 112мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 165Вт
Сімейство: SMA
Стандартне пакування виробника: 1300шт.
Струм стока: 35А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 5,23кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 5,23кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

35,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thick film; 7мОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6LWF
Резистор: thick film; 7мОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6LWF

6,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Трансформатор: мережевий; 100ВА; 230ВAC,400ВAC; 48В; гвинтовий
Трансформатор: мережевий; 100ВА; 230ВAC,400ВAC; 48В; гвинтовий

3163,97 грн

Виводи:
затискна планка
Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6
Вторинна напруга 1:
48В
Додаткові функції:
відгалуження первинної обмотки ±15 В
Недоступний
Затискна обійма; L: 610мм; W: 13,2мм; поліпропілен
Затискна обійма; L: 610мм; W: 13,2мм; поліпропілен

298,40 грн

Довжина:
0,61м
Матеріал обійми:
поліпропілен
Стійкість до:
промені УФ
Тип аксесуарів до кабелів:
затискна обійма
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 82В; SMD; 50нА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 82В; SMD; 50нА; ролик,cтрічка

8421,83 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
82В
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 24В; DO35; 500нА; Ufmax: 1,1В
Діод: зенера; 500мВт; 24В; DO35; 500нА; Ufmax: 1,1В

340,22 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
24В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: PMIC; Uвх: 4÷40В; Uробоча: 4÷40В; Uвих: 12В; TO263-5; buck
IC: PMIC; Uвх: 4÷40В; Uробоча: 4÷40В; Uвих: 12В; TO263-5; buck

74,76 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
12В
Вихідний струм:
1А
Вхідна напруга:
4...40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
4нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD