Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт

Немає в наявності
Код товару: LGE3M14120Q
2662,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LGE3M14120Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 230нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 18мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 625Вт
Струм стока: 108А
Струм стоку в імпульсі: 340А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; THT; 3300мкФ; 25ВDC; Ø16x25мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 3300мкФ; 25ВDC; Ø16x25мм; ±20%

105,80 грн

Висота:
25мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,5пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1200мкФ; 6,3ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1200мкФ; 6,3ВDC; ±20%

8,55 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5А; 5A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5А; 5A/250ВAC

65,26 грн

Виводи:
до лютування
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
14,4В DC
Макс. струм контактів:
5А
Недоступний
Резистор: thin film; 402Ом; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 402Ом; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100ВDC; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100ВDC; X7R; ±20%; SMD; 0603

2,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
0,1мкФ
Резистор: thin film; 41,2кОм; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 41,2кОм; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%

1,76 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 170А; 715Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 170А; 715Вт; TO3P

714,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
198нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 500В; 16А; 300Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 500В; 16А; 300Вт; TO220AB

266,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 56А; 176Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 56А; 176Вт; TO247-4

1025,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 34А; 115Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 34А; 115Вт; TO247-4

446,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO247-4
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1200В; 7,6А; 40Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1200В; 7,6А; 40Вт; ESD

542,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 81А; 312Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 81А; 312Вт; TO247-3

1380,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 200В; 25А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 200В; 25А; 40Вт; TO220FP

160,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT