Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 200В; 25А; 40Вт; TO220FP

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STF40NF20
160,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STF40NF20
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 40Вт
Струм стока: 25А
Технологія: STripFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 35В; SMD4
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 35В; SMD4

44,35 грн

CTR@If:
50-150%@1mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X8R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X8R; ±20%; SMD; 1206

6,02 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 178Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 178Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 8,06Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 8,06Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Вимикач безпеки: блокуючий; AZM 170; NC + NO; IP67; пластик; 24ВDC
Вимикач безпеки: блокуючий; AZM 170; NC + NO; IP67; пластик; 24ВDC

13538,41 грн

Виводи:
самозажимна клемма
Властивості вимикачів безпеки:
без ключа; блокує ключ при подачі напруги; сила засувки 30N
Електричне під'єднування:
M20
Електричні параметри роз’ємів:
24В DC / 4А; 250В AC / 4А
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; Iном: 5А; 400В; PIN: 3; IP67
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; Iном: 5А; 400В; PIN: 3; IP67

159,66 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Алмазна пила; Ø: 30мм; для сухих робіт,керамічна плитка
Алмазна пила; Ø: 30мм; для сухих робіт,керамічна плитка

3015,08 грн

Використання інструментів:
для сухих робіт; керамічна плитка
Глибина свердління:
макс. 45мм
Діаметр:
30мм
Монтажний гвинт:
M14
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB