Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 127А; Idm: 360А; 750Вт

Немає в наявності
Код товару: B3M013C120Z
233,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: B3M013C120Z
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 225нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 13,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 750Вт
Струм стока: 127А
Струм стоку в імпульсі: 360А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 16ВDC; X7R; ±20%; SMD; 0306
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 16ВDC; X7R; ±20%; SMD; 0306

3,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
0,47мкФ
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; FCI
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; FCI

13,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
2,41мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; AS; 500В
Резистор: thick film; 8,2кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; AS; 500В

4,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%; RN73H; 75В

19,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 12В; 0,5А
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 12В; 0,5А

11,40 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
12В
Вихідний струм:
0,5А
Недоступний
IC: цифровий; буфер,відвертаючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS; SMD
IC: цифровий; буфер,відвертаючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS; SMD

26,61 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
буфер; відвертаючий; контролер лінії
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 850В; 14А; 38Вт; TO220FP; 116нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 850В; 14А; 38Вт; TO220FP; 116нс

266,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; 35Вт; TO251A
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; 35Вт; TO251A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
TO251A
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 95А; 50Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 95А; 50Вт; TO220

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42,5нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А; 115Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А; 115Вт; TO220

231,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Модель:
ESD
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 148А; Idm: 296А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 148А; Idm: 296А; 192Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
81нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 62А; Idm: 310А; 160Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 62А; Idm: 310А; 160Вт; TO220AB

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 310Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 310Вт; TO220-3

206,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT