Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: C3M0160120D
366,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: C3M0160120D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -8...19В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 256мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 97Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 34А
Технологія: C3M™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Гніздовий; PIN: 36; прямий; Iном: 5А; Iмакс: 5А; 2,54мм
Гніздовий; PIN: 36; прямий; Iном: 5А; Iмакс: 5А; 2,54мм

0,00 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
36
Максимальний струм:
5А
Матеріал контакту:
сплав міді
Монтажний елемент; 22мм; Harmony XB4; на фронтальну панель
Монтажний елемент; 22мм; Harmony XB4; на фронтальну панель

121,64 грн

Застосування - серія/виробник:
Harmony XB4
Монтаж:
на фронтальну панель
Стандарт перемикача:
22мм
Тип аксесуарів для перемикачів:
монтажний елемент
Недоступний
Connector: Special D-Sub; PIN: 47(1+46); male; data transfer; THT
Connector: Special D-Sub; PIN: 47(1+46); male; data transfer; THT

781,17 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
47 (1+46)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1568,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл