Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 39А; 117Вт

Немає в наявності
Код товару: B2M160120R
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: B2M160120R
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 117Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 39А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кристал; 26МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 12пФ; Стаб.част: ±30ppm
Кристал; 26МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 12пФ; Стаб.част: ±30ppm

15,08 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷1кА; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷1кА; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц

1855,68 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Властивості вимірювальних приладів:
з затвердженням контролю якості
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Недоступний
Вентилятор: EC; центробіжній; 230ВAC; 255x255x120,4мм; 745м3/г
Вентилятор: EC; центробіжній; 230ВAC; 255x255x120,4мм; 745м3/г

17990,39 грн

Виводи:
проводи x7
Вид вентилятора:
центробіжній
Вид двигуна:
1-фазний
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; PowerDI®5; Trench SBR®; SMD; 50В; 15А
Діод: випрямний Шотткі; PowerDI®5; Trench SBR®; SMD; 50В; 15А

36,11 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
50В
Корпус:
PowerDI®5
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 1206

10,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,25%
Недоступний
TCVCXO; 14,85МГц; 10пФ; ±2,5ppm; ±1ppm/рік; 5x3,2x1,2мм; 3В
TCVCXO; 14,85МГц; 10пФ; ±2,5ppm; ±1ppm/рік; 5x3,2x1,2мм; 3В

189,43 грн

Довготривала стабільність:
±1ppm/рік
Ємність:
10пФ
Робоча напруга:
3В
Робоча температура:
-30...75°C
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 3,5А; Idm: 14А; 2,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 3,5А; Idm: 14А; 2,5Вт; SOT23

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 79А; Idm: 500А; 89,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 79А; Idm: 500А; 89,2Вт

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
73,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 90А; Idm: 360А; 118Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 90А; Idm: 360А; 118Вт

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 148А; 75Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 148А; 75Вт

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 58А; Idm: 232А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 58А; Idm: 232А; 48Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8