Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: S2M0120120J
295,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: S2M0120120J
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 29,6нКл
Корпус: D2PAK-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 212мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 153Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 66А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 680кОм; THT; 2Вт; ±5%; Ø3,5x9мм; осьові; L: 9мм
Резистор: metal film; 680кОм; THT; 2Вт; ±5%; Ø3,5x9мм; осьові; L: 9мм

3,09 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,5мм
Довжина:
9мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 100÷111В; 4,1А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 100÷111В; 4,1А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; SMBJ

3,99 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
90В
Недоступний
Резистор: thin film; 75Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 75Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD