Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт

Немає в наявності
Код товару: S2M0120120T
194,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: S2M0120120T
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 29,6нКл
Корпус: TOLL
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 212мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 156Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 66А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: PMIC; контролер PWM; 1МГц; Ch: 1; MSOP8; туба; SMPS; 3÷5,5ВDC
IC: PMIC; контролер PWM; 1МГц; Ch: 1; MSOP8; туба; SMPS; 3÷5,5ВDC

60,82 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер PWM
Вид упаковки:
туба
Використання:
SMPS
Кількість каналів:
1
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 600А; Iвих: 1А; Клас: 1@max10ВА; 50Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 600А; Iвих: 1А; Клас: 1@max10ВА; 50Гц

3203,25 грн

Вихідний струм:
1А
Вхідний струм:
600А
Діаметр внутрішній:
26мм
Клас точності:
1 @max 10ВА
Резистор: thin film; 510кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 510кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

5,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Роз’єм: M12; PIN: 5; промислова; для проводу; сплав міді; Iном: 4А
Роз’єм: M12; PIN: 5; промислова; для проводу; сплав міді; Iном: 4А

973,77 грн

Connector family:
промислова
Кількість пін:
5
Клас горючості:
UL94HB
Максимальний струм:
4А
Недоступний
Резистор: thick film; 487Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 487Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
487Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,3пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

29,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; TO252AA

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
10,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,5А; 85Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,5А; 85Вт; D2PAK,TO263

138,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD