Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 68А; 164Вт

Немає в наявності
Код товару: AB2M080120R
103,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: AB2M080120R
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 164Вт
Струм стока: 26А
Струм стоку в імпульсі: 68А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Screwdriver bit: SIT; SIT40; 1/4"; Overall len: 25mm; STANDARD
Screwdriver bit: SIT; SIT40; 1/4"; Overall len: 25mm; STANDARD

117,84 грн

Type of screwdriver bit:
SIT
Вид рукоятки:
C6,3mm
Властивості бітів:
загартована
Загальна довжина:
25мм
Контактний елемент; RONDEX-JUWEL,RONTRON-R-JUWEL; IP00; 3мм
Контактний елемент; RONDEX-JUWEL,RONTRON-R-JUWEL; IP00; 3мм

374,43 грн

Застосування - серія/виробник:
RONDEX-JUWEL; RONTRON-R-JUWEL
Клас герметичності:
IP00
Конфігурація контактів:
NC x2
Крок кнопки:
3мм
Недоступний
Резистор: thin film; 365кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X
Резистор: thin film; 365кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X

36,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
LED; 5мм; червоний; 310÷680мкд; 30°; Голівка: опукла; 2÷2,4ВDC
LED; 5мм; червоний; 310÷680мкд; 30°; Голівка: опукла; 2÷2,4ВDC

10,77 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина хвилі λd:
631нм
Кількість виводів:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,1пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK