Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 28А; Idm: 68А; 187Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 28А; Idm: 68А; 187Вт
Brand: BASiC SEMICONDUCTOR
SKU: AB2M080120H
Price: 185.63 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: AB2M080120H

185,63 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

AB2M080120H

Виробник:

BASiC SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

46нКл

Корпус:

TO247-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

-4...18В

Напруга сток-джерело:

1,2кВ

Опір в стані провідності:

80мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

187Вт

Струм стока:

28А

Струм стоку в імпульсі:

68А

Технологія:

SiC

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 170А; 715Вт; TO3P

714,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
198нКл

Корпус:
TO3P

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 500В; 16А; 300Вт; TO220AB

266,73 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
43нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 56А; 176Вт; TO247-4

1025,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
94нКл

Корпус:
TO247-4

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 34А; 115Вт; TO247-4

446,66 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
63нКл

Корпус:
TO247-4

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1200В; 7,6А; 40Вт; ESD

542,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220FP

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 81А; 312Вт; TO247-3

1380,51 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
170нКл

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 200В; 25А; 40Вт; TO220FP

160,92 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220FP

Монтаж:
THT