Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29А; Idm: 82А; 231Вт

Немає в наявності
Код товару: S2M0080120T
229,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: S2M0080120T
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 54нКл
Корпус: TOLL
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 137мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 231Вт
Струм стока: 29А
Струм стоку в імпульсі: 82А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Кристал; 26МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 9пФ; Стаб.част: ±10ppm
Кристал; 26МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 9пФ; Стаб.част: ±10ppm

22,17 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Допуск резонаторів:
±10ppm
Ємність:
9пФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 252Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 252Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

20,40 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; TQFP32; 64кБFLASH; ATSAML11; 1,62÷3,63В
IC: мікроконтролер ARM; TQFP32; 64кБFLASH; ATSAML11; 1,62÷3,63В

170,43 грн

Вид архітектури:
ARM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
I2C; LIN; SPI; UART; USART
Роз’єм: automotive; гніздо; штекерний; MCP 2.8; 60В; PIN: 2; IP67
Роз’єм: automotive; гніздо; штекерний; MCP 2.8; 60В; PIN: 2; IP67

172,33 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Застосування - серія/виробник:
MCP 2.8
Кількість пін:
2
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206

4,43 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 3кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 3кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD