Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 35А; Idm: 105А; 263Вт

Немає в наявності
Код товару: DI120SIC089D7
114,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: DI120SIC089D7
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 103нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 90мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 263Вт
Струм стока: 35А
Струм стоку в імпульсі: 105А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210

4,82 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 13А; Iдіф: 300мА; Полюси: 1+N; 230ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 13А; Iдіф: 300мА; Полюси: 1+N; 230ВAC

5240,12 грн

Вид вимикача:
тип A
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60947-2; IEC EN 61009-1
Диференціальний струм:
0,3А
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3Ом; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 600ppm/°C
Резистор: thick film; 1,3Ом; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 600ppm/°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

2,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 1,5кБ; 4МГц; ICSP; SMD; SOIC8; PIC12; туба
IC: мікроконтролер PIC; 1,5кБ; 4МГц; ICSP; SMD; SOIC8; PIC12; туба

129,88 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
ICSP
Кількість входів/виходів:
5
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 12А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 12А

7,98 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
8,4мм
Відповідність стандарту:
UL
Резистор: thin film; 360кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 360кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

5,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт

350,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
10,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD