Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 38А; 192Вт; TO263; SMB

Немає в наявності
Код товару: MSC060SMB120SDT/R
288,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: MSC060SMB120SDT/R
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 192Вт
Сімейство: SMB
Стандартне пакування виробника: 800шт.
Струм стока: 38А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 4,5÷12ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 146мА; SMD16
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 4,5÷12ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 146мА; SMD16

2034,34 грн

Використання:
вимірювальний прилад; медичні програми; промисловість
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
146мА
Вхідна напруга:
4,5...12В DC
Недоступний
Провід: управління; 4G2,5мм2; PUR; сірий; тросик; Cu; 10,5мм
Провід: управління; 4G2,5мм2; PUR; сірий; тросик; Cu; 10,5мм

373,16 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Застосування проводів:
ланцюгова передача; промислові застосування; робототехніка
Недоступний
Резистор: thick film; 43,2кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 43,2кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: metal film; 120кОм; THT; 3Вт; ±5%; Ø5x15мм; осьові; L: 15мм
Резистор: metal film; 120кОм; THT; 3Вт; ±5%; Ø5x15мм; осьові; L: 15мм

3,99 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5мм
Довжина:
15мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 15; THT; angled; 1x15
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 15; THT; angled; 1x15

19,83 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
13,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 17,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 17,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

34,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Кристал; 6пФ; SMD; ESR: 80Ом; 2x1,6x0,7мм; 27,6МГц; ±15ppm
Кристал; 6пФ; SMD; ESR: 80Ом; 2x1,6x0,7мм; 27,6МГц; ±15ppm

12,80 грн

Допуск:
±15ppm
Ємність:
6пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
80Ом
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6