1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 41А; Idm: 123А; 238Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 41А; Idm: 123А; 238Вт
Немає в наявності
Код товару: B2M040120R
117,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: B2M040120R
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 90нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 238Вт
Струм стока: 41А
Струм стоку в імпульсі: 123А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Реактор: дротяний; SMD; 10мГн; 12,5x7,5мм; 800мА; ферит; 1,7Ом
Реактор: дротяний; SMD; 10мГн; 12,5x7,5мм; 800мА; ферит; 1,7Ом

46,25 грн

Високосортність:
24
Індуктивність:
10мГн
Матеріал стержня:
ферит
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1,5МГц; Ch: 4; 1,8÷5,5ВDC; TSSOP14
IC: Oпераційний підсилювач; 1,5МГц; Ch: 4; 1,8÷5,5ВDC; TSSOP14

86,80 грн

Діапазон напруги живлення:
1,8...5,5В DC
Кількість каналів:
4
Корпус:
TSSOP14
Монтаж:
SMT
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама"; 2м; вилка
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама"; 2м; вилка

2862,40 грн

Engineering PN:
M12 Cable Assembly D-cod st/st m/f 2,0m
Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
33нФ
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий; 9/16"; 3/8"; 29мм; хром
Насадка: 6-гранна; насадковий; 9/16"; 3/8"; 29мм; хром

513,81 грн

Вид ключа:
насадковий
Відповідність стандарту:
DIN 3120; ISO 1174
Довжина насадки:
29мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD; TSSOP14; ACT; 20мкА
IC: цифровий; тригер D; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD; TSSOP14; ACT; 20мкА

69,69 грн

Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
2
Корпус:
TSSOP14
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 19А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 19А

79,83 грн

Alias:
SL-SMT 5.08HC/05/180G 1.5SN BK RL
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
13,5мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO263