1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: S3M0040120T
273,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: S3M0040120T
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 143нКл
Корпус: TOLL
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 130Вт
Струм стока: 46А
Струм стоку в імпульсі: 223А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 4,12кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 4,12кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
20000шт.
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 66нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 66нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1812

198,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 182Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 182Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Кабель; гніздовий; PIN: 4; 8А; чорний; 20AWG; Модель: неекранований
Кабель; гніздовий; PIN: 4; 8А; чорний; 20AWG; Модель: неекранований

266,73 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Використання:
для провід
Діаметр жили:
20AWG
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; U2J; ±5%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; U2J; ±5%; SMD; 0603; 180мм

2,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 13В; двоспрямована; DO201AE; 1,5кВт; 1.5KE; ролик
Діод: TVS; 13В; двоспрямована; DO201AE; 1,5кВт; 1.5KE; ролик

12,29 грн

Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Корпус:
DO201AE
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD