Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 123А; 333Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 123А; 333Вт
Brand: BASiC SEMICONDUCTOR
SKU: B2M040120H
Price: 190.70 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: B2M040120H

190,70 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

B2M040120H

Виробник:

BASiC SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

90нКл

Корпус:

TO247-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

-4...18В

Напруга сток-джерело:

1,2кВ

Опір в стані провідності:

40мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

333Вт

Струм стока:

48А

Струм стоку в імпульсі:

123А

Технологія:

SiC

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А; 3Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
Ammo Pack

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
TO92 Formed

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А; 158Вт; TO220

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
38нКл

Корпус:
TO220

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 84А; Idm: 295А; 715Вт

1251,90 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
373нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; Idm: 72А; 41Вт; TO220FP

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; TO220AB

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
26нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт; TO220AB

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
38нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 9,7А; 150Вт; TO247AC

161,56 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
63нКл

Корпус:
TO247AC