Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 66А; Idm: 193А; 506Вт

Немає в наявності
Код товару: MSC025SMB120Q
886,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MSC025SMB120Q
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 109нКл
Корпус: QDPAK22
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 506Вт
Сімейство: SMB
Струм стока: 66А
Струм стоку в імпульсі: 193А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 16А; Жили: 4
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 16А; Жили: 4

2869,36 грн

Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP69K
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 24; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 24; THT; 3A; vertical; 2.54mm

162,19 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
24
Клас горючості:
UL94V-0
Резистор: thick film; 26,1кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 26,1кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,54 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 1,24кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 1,24кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 416мА
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 416мА

2788,90 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
0,416А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 1206; 330мВт; ±10%; SG73; 200В
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 1206; 330мВт; ±10%; SG73; 200В

1,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD