Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 69А; 310Вт; TO263; SMB

Немає в наявності
Код товару: MSC030SMB120SDT/RM
484,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 100
Крок додавання: 100
Код товару: MSC030SMB120SDT/RM
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 91нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 310Вт
Сімейство: SMB
Стандартне пакування виробника: 100шт.
Струм стока: 69А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Аварійний вимикач; Iном: 63А; Iдіф: 300мА; Полюси: 3+N; 230/400ВAC
Аварійний вимикач; Iном: 63А; Iдіф: 300мА; Полюси: 3+N; 230/400ВAC

2927,02 грн

Вид вимикача:
тип AC
Диференціальний струм:
0,3А
Кількість полюсів:
3+N
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thin film; 75Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 75Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

13,87 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 12; М12 "папа"; кутовий; 10м; вилка; 30ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 12; М12 "папа"; кутовий; 10м; вилка; 30ВDC

2073,62 грн

Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
12
Клас герметичності:
IP69K
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2кОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,2кОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
1,2кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

2,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
2,2пФ
Резистор: thick film; 360кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 360кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK

218,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
143нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,51нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8А; 198Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8А; 198Вт; TO263

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,2нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 67А; 33Вт; DFN5x6

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD