1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: G3R20MT12K
1564,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 219нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...15В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 20мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 542Вт
Струм стока: 90А
Струм стоку в імпульсі: 240А
Технологія: G3R™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: гибридний; H: 11,7мм; 150мкФ; 25ВDC; 3,5А; THT; ZA-A
Конденсатор: гибридний; H: 11,7мм; 150мкФ; 25ВDC; 3,5А; THT; ZA-A

29,14 грн

Висота:
11,7мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
висока довговічність; підвищена температура пайки
Діаметр:
10мм
Резистор: thin film; 270Ом; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±1%; 200В
Резистор: thin film; 270Ом; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±1%; 200В

4,43 грн

Діаметр:
1,5мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Корпус:
MiniMELF
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 272А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 272А; 96Вт; TO220-3

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20А; Idm: 80А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20А; Idm: 80А; 30Вт; TO220FP

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; Idm: 180А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; Idm: 180А; 30Вт; TO220FP

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6А; Idm: 24А; 25Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6А; Idm: 24А; 25Вт; TO220FP

165,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

354,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24,7нКл
Корпус:
TO220AB