1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: G3R45MT17K
1562,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G3R45MT17K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 182нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...15В
Напруга сток-джерело: 1,7кВ
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 438Вт
Струм стока: 43А
Струм стоку в імпульсі: 160А
Технологія: G3R™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Недоступний
Модуль автоматики: рутер; Кількість портів: 5; 9÷30ВDC; RJ45; RUT
Модуль автоматики: рутер; Кількість портів: 5; 9÷30ВDC; RJ45; RUT

4062,35 грн

Вид пам’яті:
DDR2
Зовнішні розміри:
100x30x85мм
Інтерфейс:
Ethernet; USB
Кількість портів:
5
Конденсатор: керамічний; 47нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 47нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,47 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
47нФ
Корпус - дюйм:
0805
Connector: DIN 41612; plug; male; data; PIN: 77; straight; Press-Fit
Connector: DIN 41612; plug; male; data; PIN: 77; straight; Press-Fit

539,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
Press-Fit
Кількість пін:
77
Діод: TVS; ESD; 450Вт; 6В; 30А; двоспрямована; SOD323; SPA® Diodes
Діод: TVS; ESD; 450Вт; 6В; 30А; двоспрямована; SOD323; SPA® Diodes

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
0,2нФ
Зворотна напруга макс.:
5В
Корпус:
SOD323
Недоступний
Резистор: thick film; 2,4Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±1%; PS; 400В
Резистор: thick film; 2,4Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±1%; PS; 400В

4,24 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Connector: RJ45; data transfer; shielded,EMI; UL94V-0; on PCBs
Connector: RJ45; data transfer; shielded,EMI; UL94V-0; on PCBs

4481,76 грн

Connector family:
data transfer
Електричний монтаж:
Press-Fit; THT
Кількість портів:
6
Клас горючості:
UL94V-0
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP

195,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3

848,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3

468,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс

506,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
80нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB

564,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™

1127,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
358нКл