Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 60В; 198А; 300Вт; D2PAK,TO263

Немає в наявності
Код товару: IPB013N06NF2SATMA1
107,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IPB013N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 203нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 1,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 198А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Ферит: циліндричний; 43; -55÷90°C; 31,1x19,05x16,3мм; 100МГц; 85Ом
Ферит: циліндричний; 43; -55÷90°C; 31,1x19,05x16,3мм; 100МГц; 85Ом

97,57 грн

Імпеданс:
85Ом
Матеріал стержня:
43
Робоча температура:
-55...90°C
Розміри:
31,1x19,05x16,3мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0201

0,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,9пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402

0,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,22 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 25В; X8R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 25В; X8R; ±10%; SMD; 1206

16,47 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: тригер,логічний; 3,75кВ; 25Мбіт/с; SOIC8
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: тригер,логічний; 3,75кВ; 25Мбіт/с; SOIC8

65,89 грн

Вид виходу:
логічний; тригер
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOIC8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD