1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DIF065SIC020
1296,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DIF065SIC020
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 236нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...18В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 16мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 550Вт
Струм стока: 100А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 2220

67,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Дисплей: LCD; графічний; 160x104; STN Negative; синій; 81,5x67,5мм
Дисплей: LCD; графічний; 160x104; STN Negative; синій; 81,5x67,5мм

0,00 грн

Cенсорна панель:
опору
Вид дисплея:
графічний
Властивості дисплеїв:
інтелігентний
Діагональ екрану:
3,2"
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,39 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C

5,51 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

15,52 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD

2,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
0,47нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 365кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 365кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
7,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А

1210,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
174нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 215Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 215Вт

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 112Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 112Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 41А; Idm: 328А; 108,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 41А; Idm: 328А; 108,7Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30,8нКл
Корпус:
TO220-3