Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт

Немає в наявності
Код товару: IMW65R027M1HXKSA1
1234,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IMW65R027M1HXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...23В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 35мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 189Вт
Струм стока: 39А
Струм стоку в імпульсі: 185А
Технологія: CoolSiC™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 160Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD

4,94 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: контролер Еthernet; SPI; 10Base-T; Uробоча: 3,1÷3,6В; туба
IC: контролер Еthernet; SPI; 10Base-T; Uробоча: 3,1÷3,6В; туба

190,07 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PHY
Інтерфейс:
SPI
Категорія Ethernet:
10Base-T
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 30А; Iвих: 5А; на панель; 50Гц; 720В
Трансформатор: струмовий; Iвх: 30А; Iвих: 5А; на панель; 50Гц; 720В

7227,58 грн

Вихідний струм:
5А
Вхідний струм:
30А
Клас точності:
1 @max 10ВА
Максимальна напруга:
720В
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 470мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 470мкФ; 25ВDC; ±20%

50,68 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
10мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 41,7Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 41,7Вт; TO220-3

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 16А; Idm: 64А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 16А; Idm: 64А; 30Вт; TO220FP

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 16А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 16А; 20Вт; TO220FP

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

432,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
143нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 30А; 90Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 30А; 90Вт; TO220-3

187,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; TO220AB

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт; TO220AB

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB