Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 47А; Idm: 108А; 250Вт

Немає в наявності
Код товару: B3M040065Z
121,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: B3M040065Z
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 60нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 47А
Струм стоку в імпульсі: 108А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимикач безпеки: блокуючий; SFDL2; 2NC/1NO + 3NC; IP67; поліамід
Вимикач безпеки: блокуючий; SFDL2; 2NC/1NO + 3NC; IP67; поліамід

6099,86 грн

Властивості вимикачів безпеки:
звільняє ключ при подачі напруги
Електричне під'єднування:
M20
Зовнішні розміри:
37x90x105мм
Індикація:
LED
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 52; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 52; SMT; 3A; 250V

266,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Довжина контакту:
10,8мм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 0.9mm; GKS-050; CuBe; 2N; push-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 0.9mm; GKS-050; CuBe; 2N; push-in; 100mΩ

438,42 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
0,9мм
Захисна кришка; DRC; PIN: 70; прямий; Корпус: жовтий
Захисна кришка; DRC; PIN: 70; прямий; Корпус: жовтий

107,07 грн

Кількість пін:
70
Колір корпусу:
жовтий
Просторова орієнтація:
прямий
Серія виробника:
DRC
Недоступний
Резистор: thick film; 24кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 24кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
24кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Діод: випрямний; SMD; 800В; 2А; SMB; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 50А
Діод: випрямний; SMD; 800В; 2А; SMB; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 50А

3,42 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А

1657,38 грн

Вид транзистора:
каскодний
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
TO247-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247

560,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс

394,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
185нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™

752,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
224нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™

598,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™

1096,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
PLUS247™