1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 74А; Idm: 105А; TO247-4

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 74А; Idm: 105А; TO247-4
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DIF065SIC030
831,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DIF065SIC030
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 145нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 74А
Струм стоку в імпульсі: 105А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 10ВDC; B; ±10%; SMD; 0201; Thk: 0,3мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 10ВDC; B; ±10%; SMD; 0201; Thk: 0,3мм

0,34 грн

Діелектрик:
B
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: thick film; 200Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CRCW2512; 500В
Резистор: thick film; 200Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CRCW2512; 500В

1,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT