1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: C3M0280090J
414,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: C3M0280090J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Вид каналу: збагачений
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 9,5нКл
Корпус: D2PAK-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -8...19В
Напруга сток-джерело: 900В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: 11А
Технологія: C3M™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 20нс
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 32; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 32; SMT; straight

96,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 24,5А; Idm: 70А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 24,5А; Idm: 70А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; Idm: 1015А; 238Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; Idm: 1015А; 238Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
87нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 12А; 20Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 12А; 20Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34А; 17Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34А; 17Вт; DFN3x3 EP

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 23А; 10Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 23А; 10Вт; DFN3x3 EP

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; 350мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; 350мВт; SOT23,TO236AB

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO263; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO263; 400нс

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
TO263