Транзистор: N-MOSFET; SIPMOS®; польовий; 60В; 220мА; Idm: 1,12А

Немає в наявності
Код товару: BSS138WH6433XTMA1
2,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: BSS138WH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 0,22А
Струм стоку в імпульсі: 1,12А
Технологія: SIPMOS®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 10,2кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 10,2кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 6ВDC; SPST-NO; Iконтактів max: 5А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 6ВDC; SPST-NO; Iконтактів max: 5А

245,82 грн

Зовнішні розміри:
20x5x12,8мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
5А
Матеріал контакту:
AgNi + Au
Недоступний
IC: аудіопідсилювач; Pвих: 3,1Вт; 9,6÷16ВDC; Ch: 2; Клас підсил: AB
IC: аудіопідсилювач; Pвих: 3,1Вт; 9,6÷16ВDC; Ch: 2; Клас підсил: AB

148,89 грн

Вихідна потужність:
3,1Вт
Властивості інтегральних мікросхем:
mono full-bridge: Bridge Tied Load (BTL); stereo half-bridge: Single-Ended (SE)
Імпеданс:
4Ом
Кількість каналів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 46,4кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 46,4кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
46,4кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 1,02кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1,02кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 250мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 250мА

359,22 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
0,25А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Зовнішні розміри:
22x9,5x12мм
Connector: wire-board; female; data; Inom: 3A; 250V; PIN: 5; 2mm
Connector: wire-board; female; data; Inom: 3A; 250V; PIN: 5; 2mm

153,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD