Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 20А; 151Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: GC20N65M
119,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GC20N65M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 28нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 151Вт
Струм стока: 20А
Технологія: SJ-MOSFET
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 1; синій; IP65; плоский; 04
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 1; синій; IP65; плоский; 04

875,57 грн

Властивості перемикачів:
без символу
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Клас герметичності:
IP65
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Патч-корд світлопроводний; OM4; LC/UPC,SC/UPC; 1м; 50/125мкм
Патч-корд світлопроводний; OM4; LC/UPC,SC/UPC; 1м; 50/125мкм

264,19 грн

Вид волокна:
MMF OM4
Вид матеріалу:
негалогенний
Довжина кабелю:
1м
Застосування проводів:
CATV; LAN; передача даних
Недоступний
Датчик: лазерний; Дальність: 60÷300мм; PNP/NPN NO/NC; на відбиття
Датчик: лазерний; Дальність: 60÷300мм; PNP/NPN NO/NC; на відбиття

116957,19 грн

Важлива інформація:
Увага! Лазерне випромінювання! Дотримуйтесь правил безпеки. Не дивитися прямо в джерело лазерного світла.
Дальність:
0,06...0,3м
Зовнішні розміри:
99x60x160мм
Клас герметичності:
IP54; IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 2,26кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 2,26кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

13,87 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10А; 10A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10А; 10A/250ВAC

31,68 грн

Виводи:
до лютування
Кількість пін:
4
Конструкція:
одна обмотка
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Резистор: thick film; 931кОм; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 931кОм; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,18 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
931кОм
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 6А; 45Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 6А; 45Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 70Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 70Вт; TO252

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; Idm: 22А; 1,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; Idm: 22А; 1,5Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 38А; 240Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 38А; 240Вт; TO263

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 150А; Idm: 600А; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 150А; Idm: 600А; 96Вт

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 78А; Idm: 312А; 312,5Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 78А; Idm: 312А; 312,5Вт; TO263

171,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
TO263