1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM05N02M
22,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM05N02M
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,5нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 50В
Опір в стані провідності: 2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 0,2А
Струм стоку в імпульсі: 1А
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: pin strips; male; data; PIN: 8; soldering,THT; Inom: 3A
Connector: pin strips; male; data; PIN: 8; soldering,THT; Inom: 3A

53,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
8
Недоступний
Резистор: thick film; 287кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 287кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
287кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 66,5Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 66,5Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 15А; Дл: 0,914м
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 15А; Дл: 0,914м

468,83 грн

Довжина проводу:
0,914м
Колір:
фіолетовий
Конструкція вимірювального проводу:
з обох сторін; штекер "банан" з осьовим і поперечним гніздом 4 мм
Матеріал ізоляції:
поліпропілен
Недоступний
Резистор: thin film; 115кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 115кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: керамічний; 3,9пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 3,9пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD; 0402

2,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,9пФ
Корпус - дюйм:
0402
Patch cord; SF/UTP; Cat 5e; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,25м; CCA
Patch cord; SF/UTP; Cat 5e; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,25м; CCA

71,59 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вид кабелю:
SF/UTP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
TO252