Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F

Name: Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F
Brand: GOFORD SEMICONDUCTOR
SKU: GC125N65FF
Price: 117.21 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: GC125N65FF

117,21 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

GC125N65FF

Виробник:

GOFORD SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

52нКл

Корпус:

TO220F

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

650В

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

42Вт

Струм стока:

25А

Технологія:

SJ-MOSFET

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Patch cord; U/UTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; тросик

312,98 грн

Будова екрану:
неекранований

Будова жили:
тросик

Вид жили:
Cu

Вид кабелю:
U/UTP

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
0,27мкКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
15нКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
61нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
21нКл

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±30В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
I2PAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
135нКл

Корпус:
TO220AB

Монтаж:
THT