1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 50А; 388Вт; TO247

Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 50А; 388Вт; TO247
Немає в наявності
Код товару: GC060N65QF
262,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GC060N65QF
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 128нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 388Вт
Струм стока: 50А
Технологія: SJ-MOSFET
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 2,87кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В
Резистор: thick film; 2,87кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: thick film; 97,6Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 97,6Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; OMNIMATE; 17,5А; 320В
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; OMNIMATE; 17,5А; 320В

0,00 грн

Кількість пін:
10
Колір корпусу:
чорний
Номінальна напруга:
0,32кВ
Номінальний струм:
17,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2МОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2МОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
2,2мОм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,4МОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,4МОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,55x0,85x0,45мм
Пінцет: прямий; 120мм; Леза: звужений; Форма кінц.леза: гострі
Пінцет: прямий; 120мм; Леза: звужений; Форма кінц.леза: гострі

777,37 грн

Довжина пінцета:
120мм
Матеріал:
нержавіюча сталь
Тип пінцета:
прямий
Форма кінцівки леза:
гострі
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 45В; 24А; Idm: 160А; 31Вт; QFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 45В; 24А; Idm: 160А; 31Вт; QFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
QFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

2559,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 200А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 200А; TO247AC

189,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 140А; 330Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 140А; 330Вт; TO220AB

158,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO220AB