1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 45В; 24А; Idm: 160А; 31Вт; QFN5x6

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 45В; 24А; Idm: 160А; 31Вт; QFN5x6
Немає в наявності
Код товару: DI038N04PQ2
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI038N04PQ2
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 45В
Опір в стані провідності: 17мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 31Вт
Струм стока: 24А
Струм стоку в імпульсі: 160А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 12; SMT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 12; SMT; 3A; 150V

210,34 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
туба
Довжина відводів:
2,1мм
Недоступний
Резистор: metal film; 10кОм; THT; 250мВт; ±5%; MF; 200В; Ø1,85x3,5мм
Резистор: metal film; 10кОм; THT; 250мВт; ±5%; MF; 200В; Ø1,85x3,5мм

0,27 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 147кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 147кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 51,1Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 51,1Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thick film; 2,05МОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 2,05МОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
2,05мОм
Із заземленням; M20; 1,5; IP68; латунь; METRICA-M-EMC-E
Із заземленням; M20; 1,5; IP68; латунь; METRICA-M-EMC-E

514,45 грн

Type of cable gland:
cable
Версія введення:
із заземленням
Вживання кабельних аксесуарів:
для екранованих проводів
Вид різьблення:
метрична
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; 3PDT; Iконтактів max: 20А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; 3PDT; Iконтактів max: 20А

471,36 грн

Електрична стійкість:
200000 цикли
Зовнішні розміри:
27,7x20,7x35,8мм
Кількість пін:
11
Конфігурація контактів:
3PDT
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363