Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 60В; 75А; 125Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP100N6F7
91,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP100N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 5,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 75А
Технологія: STripFET™ F7
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 28; THT; angled; 2x14
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 28; THT; angled; 2x14

88,70 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Провід; Pro-Met; 2x1,5мм2; ПВХ; прозорий; 300В,500В; 100м; 328футів
Провід; Pro-Met; 2x1,5мм2; ПВХ; прозорий; 300В,500В; 100м; 328футів

0,00 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thick film; 23,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 23,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В

0,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Антена: комунікаційна; WiFi; 3дБі; 2,4÷2,5ГГц,2,45ГГц
Антена: комунікаційна; WiFi; 3дБі; 2,4÷2,5ГГц,2,45ГГц

1763,81 грн

Type of antenna:
communication
Вид антени:
WiFi
Коефіцієнт підсилення антени:
3дБі
Тип аксесуарів для модулі зв'язку:
антена
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 72; THT; angled; 3x24
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 72; THT; angled; 3x24

85,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 16; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 16; THT; 3A; vertical; 2.54mm

73,49 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
16
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
120МГц; Властивості: DMA,PoR,PWM; -40÷85°C; Осердя: 32-bit
120МГц; Властивості: DMA,PoR,PWM; -40÷85°C; Осердя: 32-bit

Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PoR; PWM
Інтерфейс:
EBI; EMI; Ethernet; I2C; LIN; MMC; QSPI; SD; SPI; USART
Кількість входів/виходів:
78
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT