1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 105А; Idm: 320А

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 105А; Idm: 320А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP105N3LL
66,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP105N3LL
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 42нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 4,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 140Вт
Струм стока: 105А
Струм стоку в імпульсі: 320А
Технологія: STripFET™ H6
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,91кОм; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,91кОм; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
1,91кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 4,99кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 4,99кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В

0,75 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 1,2кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; 100ppm/°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
1,2кОм
IC: цифровий; 8bit,буфер,контролер лінії; CMOS; SMD; TSSOP20; LVC
IC: цифровий; 8bit,буфер,контролер лінії; CMOS; SMD; TSSOP20; LVC

12,67 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
8bit; буфер; контролер лінії
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TSSOP20
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Аварійний вимикач; Iном: 63А; Iдіф: 300мА; Полюси: 3+N; 230/400ВAC
Аварійний вимикач; Iном: 63А; Iдіф: 300мА; Полюси: 3+N; 230/400ВAC

2927,02 грн

Вид вимикача:
тип AC
Диференціальний струм:
0,3А
Кількість полюсів:
3+N
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thin film; 75Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 75Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

13,87 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1568,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл