Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 300В; 27А; Idm: 168А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP46NF30
207,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP46NF30
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 90нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 75мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 27А
Струм стоку в імпульсі: 168А
Технологія: STripFET™ II
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,02кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1,02кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
1,02кОм
Резистор: thick film; 1МОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 1МОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 100ppm/°C

3,80 грн

Діаметр роліка макс.:
178мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 1,1кОм; SMD; 1225; 3Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,1кОм; SMD; 1225; 3Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,97 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 50В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 50В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

0,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
5,5пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; RS73G; 100В
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; RS73G; 100В

1,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 69,8Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 69,8Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 3,83кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED
Резистор: thick film; 3,83кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT