Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STB100NF04T4
178,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STB100NF04T4
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 480А
Технологія: STripFET™ II
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Uвих: 48ВDC; Iвих: 1,04А; Half Brick; THT
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Uвих: 48ВDC; Iвих: 1,04А; Half Brick; THT

7316,28 грн

Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
1,04А
Додаткові функції:
дистанційне управління ON/OFF
Захист:
від короткого замикання SCP; перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; Iконтактів max: 16А; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; Iконтактів max: 16А; THT

363,66 грн

Висота:
15,7мм
Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Макс. струм контактів:
16А
Матеріал контакту:
AgSnO
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 0603

0,63 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
4,7нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0805

2,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 76,8Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 76,8Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%

122,28 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3кОм; SMD; 1812; 750мВт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 1,3кОм; SMD; 1812; 750мВт; ±5%; 200В

1,04 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1812
Корпус - мм:
4532
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 01005; 30мВт; ±5%; 15В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 01005; 30мВт; ±5%; 15В; -55÷125°C

2,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8