Транзистор: N-MOSFET; Trench; 200В; 60А; 500Вт; D2PAK,TO263; 118нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA60N20T-TRL
177,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IXTA60N20T-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 73нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 200В
Потужність розсіювання: 500Вт
Струм стока: 60А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 118нс
Транзистор: PNP; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 0,246Вт; SOT23,TO236AB
Транзистор: PNP; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 0,246Вт; SOT23,TO236AB

6,34 грн

Вид транзистора:
BRT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,6пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,6пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

1,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
3,6пФ
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 200мА
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 200мА

638,62 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 600В; 4Аx2; Ifsm: 25А; TO220AB; туба; 42нс
Діод: випрямний; THT; 600В; 4Аx2; Ifsm: 25А; TO220AB; туба; 42нс

51,32 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AB
Недоступний
Резистор: thick film; 56,2кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56,2кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 6,49кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 6,49кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 5,6кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 5,6кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт

254,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8

34,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK