Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 60А; Idm: 339А; 238Вт

Немає в наявності
Код товару: PSMN012-100YLX
93,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN012-100YLX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 118нКл
Корпус: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 33,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 238Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 339А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Контакт; гніздовий; 2,8x0,8мм; JPT; бронза; луджений; 0,5÷1мм2
Контакт; гніздовий; 2,8x0,8мм; JPT; бронза; луджений; 0,5÷1мм2

5,32 грн

Engineering PN:
1355046
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
ролик
Довжина:
18,8мм
Недоступний
Штативні майданчики; латунь; Різьба: 1/4"; Різьбл: зовнішня
Штативні майданчики; латунь; Різьба: 1/4"; Різьбл: зовнішня

238,85 грн

Вид різьблення:
зовнішня
Використання інструментів:
for compressor
Матеріал:
латунь
Різьба:
1/4"
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення

238,22 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
19,6мм
Довжина:
36,9мм
Електричний монтаж:
самофіксуючий затиск
LED; синій; SMD; 1208; 2,3x1,6мм; 110°; 20мА; λd: 470нм; 84мВт; 597
LED; синій; SMD; 1208; 2,3x1,6мм; 110°; 20мА; λd: 470нм; 84мВт; 597

24,65 грн

Голівка:
плоске
Довжина хвилі λd:
470нм
Колір діода LED:
синій
Корпус - дюйм:
1208
Недоступний
Резистор: metal film; 255мОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 255мОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; -55÷155°C

1,22 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 3МОм; THT; 250мВт; ±5%; 300В; осьові; L: 6,1мм
Резистор: вуглецевий; 3МОм; THT; 250мВт; ±5%; 300В; осьові; L: 6,1мм

1,64 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,1мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 330мОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; SLR1; 200В
Резистор: thick film; 330мОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; SLR1; 200В

12,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2512
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8