Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 190А; Idm: 760А; 250Вт

Немає в наявності
Код товару: GT035N10Q
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT035N10Q
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 68нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 3,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 190А
Струм стоку в імпульсі: 760А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 22нФ; 1кВDC; X7R; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; 22нФ; 1кВDC; X7R; ±10%; SMD; 2220

41,50 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Корпус - дюйм:
2220
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; QFN44; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; QFN44; PIC16

93,13 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x4; CWG; HLT; NCO; PoR; PPS; watchdog; zero cross detect; внутрішній датчик температури
Генератор вбудований:
32кГц; 32МГц
Недоступний
Резистор: thick film; 43,2Ом; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 43,2Ом; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В

21,48 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4320
Корпус - мм:
1150
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0603

0,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,8пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 4,53кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 4,53кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 37,4Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 37,4Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

6,40 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1559,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл