Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 22А; 55Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: G15N10C
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G15N10C
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 55Вт
Струм стока: 22А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: HDC; розмір 4; на панель; прямий; IP65
Корпус для з’єднувачів: HDC; розмір 4; на панель; прямий; IP65

873,04 грн

Alias:
HDC 10B ABU
Застосування - серія/виробник:
HDC
Клас герметичності:
IP65
Корпус:
розмір 4
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 12Ом; THT; 500мВт; ±5%; 350В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 12Ом; THT; 500мВт; ±5%; 350В; Ш0,54x28мм

1,21 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,5мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 3,48кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 3,48кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
3,48кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 432Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 432Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 362мм; Дл: 2м; латунь; Різьба: M6
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 362мм; Дл: 2м; латунь; Різьба: M6

4073,12 грн

Вид датчика:
прямий
Дальність:
362мм
Довжина проводу:
2м
Матеріал корпусу:
латунь
Connector: wire-board; contact; male; data; Inom: 2A; 100V; PIN: 1
Connector: wire-board; contact; male; data; Inom: 2A; 100V; PIN: 1

58,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,4пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD