1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 3,4А; Idm: 13,6А

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 3,4А; Idm: 13,6А
Немає в наявності
Код товару: GT800N10I
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT800N10I
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 5нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,7Вт
Струм стока: 3,4А
Струм стоку в імпульсі: 13,6А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Tap: inch tubular; G 3/8"; right hand thread; 19; L: 100mm; 9mm
Tap: inch tubular; G 3/8"; right hand thread; 19; L: 100mm; 9mm

5300,94 грн

Type of tap:
inch tubular
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для крізних отворів
Недоступний
Резистор: thick film; 430кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; PS; 500В
Резистор: thick film; 430кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; PS; 500В

3,93 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 2,8Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,8Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C

9,63 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 147Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 147Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5x0,35мм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,92Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 3,92Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

1,19 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
LoRa-CC68-915-T : FCC ID Certified LLCC68 LoRa Wireless Transceiver Modulewith TCXO & ESD Protection
LoRa-CC68-915-T : FCC ID Certified LLCC68 LoRa Wireless Transceiver Modulewith TCXO & ESD Protection

0,00 грн

Вихідна потужність:
160mW
Мікроконтролер:
LLCC68
Модуляція:
LoRa
Частота:
915MHz
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 75В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА
Діод: зенера; 1Вт; 75В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

2197,16 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
75В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD