1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 3А; 1,5Вт; SOT23; ESD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 3А; 1,5Вт; SOT23; ESD
Немає в наявності
Код товару: G1006LE
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G1006LE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: 3А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; 3,8А; R: 48мОм; ±20%; 4,4x4,2x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; 3,8А; R: 48мОм; ±20%; 4,4x4,2x1,8мм

29,71 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
48мОм
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; 3,3нФ; 1кВDC; 10x5x10,5мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; 3,3нФ; 1кВDC; 10x5x10,5мм; THT

16,60 грн

Виводи:
радіальні
Вид конденсатора:
Y2
Висота:
10,5мм
Допуск:
±10%
Резистор: power metal; 1кОм; THT; 1Вт; ±5%; 350В; Ø2,5x8мм; осьові
Резистор: power metal; 1кОм; THT; 1Вт; ±5%; 350В; Ø2,5x8мм; осьові

6,34 грн

Виводи:
осьові
Властивості резисторів:
висока потужність при малих розмірах
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
8мм
Недоступний
Перемикач: дверний; Поз: 2; DPDT; 0,1A/125ВAC; Вив: конектори
Перемикач: дверний; Поз: 2; DPDT; 0,1A/125ВAC; Вив: конектори

354,16 грн

Виводи:
конектори
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 150Вт; 90÷264ВAC; OUT: 1
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 150Вт; 90÷264ВAC; OUT: 1

3100,61 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
6,25А
Електричне під'єднування:
гніздо JST
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; SMT; 3A; 250V

162,82 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 47,5кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF; 25В
Резистор: thick film; 47,5кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF; 25В

0,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD