1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 6,5А; Idm: 26А; 8,3Вт

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 6,5А; Idm: 26А; 8,3Вт
Немає в наявності
Код товару: PHT6NQ10T,135
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: PHT6NQ10T,135
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC73; SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 90мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 8,3Вт
Струм стока: 6,5А
Струм стоку в імпульсі: 26А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
LED стрічка; білий нейтральний; Корп.(мм): 2835; LED/м: 120; 8мм
LED стрічка; білий нейтральний; Корп.(мм): 2835; LED/м: 120; 8мм

155,22 грн

Відповідність стандарту:
UL
Властивості джерел світла:
біла РСВ
Властивості діодів LED:
без корпусу
Кількість LED на метр:
120
Недоступний
Резистор: thick film; 270кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 270кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1,3кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thin film; 16кОм; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 16кОм; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

25,03 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 8,06кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; RK73G-RT
Резистор: thick film; 8,06кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; RK73G-RT

2,39 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 3,75кВ; Uce: 80В; SO4
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 3,75кВ; Uce: 80В; SO4

26,61 грн

CTR@If:
200-400%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO4
Недоступний
Резистор: thin film; 16,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 16,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD