Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 60А; 105Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: G200N10K
50,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G200N10K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 146нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 105Вт
Струм стока: 60А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

1,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування; 30Вт; 5ВDC; 6000мА
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування; 30Вт; 5ВDC; 6000мА

0,00 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування
Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
6А
Недоступний
Вентилятор: EC; центробіжній; 230ВAC; 400x400x251,1мм; 2110м3/г
Вентилятор: EC; центробіжній; 230ВAC; 400x400x251,1мм; 2110м3/г

0,00 грн

Виводи:
проводи x10
Вид вентилятора:
центробіжній
Вид двигуна:
1-фазний
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Резистор: thin film; 5,49кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 5,49кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,87 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Провід: телефонний; плоска; тросик; чорний; 100м; 0÷60°C; Жила: CCA
Провід: телефонний; плоска; тросик; чорний; 100м; 0÷60°C; Жила: CCA

1257,60 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вміст упаковки:
100м
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 6А; THT
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 6А; THT

5923,09 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
6А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Резистор: thick film; 43кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERJ3RBD
Резистор: thick film; 43кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERJ3RBD

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт

350,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
10,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD