1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 150В; 2А; 2,16Вт; SOT223

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 150В; 2А; 2,16Вт; SOT223
Немає в наявності
Код товару: G3K8N15HE
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G3K8N15HE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: SOT223
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,16Вт
Струм стока: 2А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1,5нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 1,5нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

0,00 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
1,5нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 250V

537,25 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 332Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 332Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

30,60 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Стрічка FFC; луджений; 1А; 60В; FFC10-TIN; Р.стрічки: 1мм; Жили: 9
Стрічка FFC; луджений; 1А; 60В; FFC10-TIN; Р.стрічки: 1мм; Жили: 9

20,59 грн

Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з одного боку
Довжина:
50мм
Номінальна напруга:
60В
Номінальний струм:
1А
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷125°C

0,41 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 1,96Ом; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 1,96Ом; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В

31,30 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4320
Корпус - мм:
1150
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 3A; 250V

186,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт

254,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8

34,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK