Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 190В; 3А; 1,8Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: G2003A
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G2003A
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 190В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: 3А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷76ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 250мА
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷76ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 250мА

786,87 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,25А
Вхідна напруга:
18...76В DC
Захист:
макс. струму OCP
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 45,6÷52,8ВDC; Uвих: 15ВDC; SIP6; THT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 45,6÷52,8ВDC; Uвих: 15ВDC; SIP6; THT

299,04 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0...67мА
Вхідна напруга:
45,6...52,8В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V

62,09 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; THT; 3A; 250V

19,01 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
18,2мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
6,8нФ
Недоступний
Варистор: оксидно-цинковий; THT; 385ВAC; 505ВDC; 620В; 10кА; Ø: 20мм
Варистор: оксидно-цинковий; THT; 385ВAC; 505ВDC; 620В; 10кА; Ø: 20мм

12,35 грн

Виводи:
прямі
Вид упаковки:
сумка
Висота:
20мм
Діаметр:
20мм
Недоступний
Резистор: thick film; 620кОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 620кОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
620кОм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт

350,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
10,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD